先進技術(shù)
6英寸Si襯底高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)異質(zhì)外延
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先進技術(shù)
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6英寸Si襯底高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)異質(zhì)外延
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傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件因材料限制逐漸不能滿足未來功率電子器件的發(fā)展趨勢。作為重要的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN，因其禁帶寬度大、擊穿電場高，異質(zhì)結(jié)二維電子氣濃度高、電子飽和漂移速度高，且化學(xué)惰性和高溫穩(wěn)定性好，從而能夠獲得很高的擊穿電壓和功率密度以及極高的工作頻率，較小的開關(guān)損耗。
基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的增強型HEMT器件的制備是實現(xiàn)GaN基功率電子器件實際應(yīng)用的必經(jīng)之路，也是技術(shù)難點。由于各種因素的限制，在大尺寸晶圓上實現(xiàn)均勻、穩(wěn)定、重復(fù)、低損傷的干法刻蝕工藝非常困難。在此背景下，本項目團隊提出了一種具有自主知識產(chǎn)權(quán)的制備p-GaN柵HEMT新技術(shù)，它避免了刻蝕損傷，采用平面工藝鈍化的原位高阻GaN帽層可提高器件耐壓、抑制電流崩塌，且工藝成本低廉，具有極大的市場應(yīng)用潛力。
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